串行Flash ( 25 系列 ) 串行Flash是用串行接口進行連續(xù)數據存取的小尺寸、低功耗的flash memory。串行 flash使用比并行flash更少的連線在一個系統(tǒng)中傳送數據。對于引腳數目少的串行flash 來講它的優(yōu)勢是減少了系統(tǒng)板的空間、功耗和成本。對于容量在512Kbit到16Mbit的25 系列串行flash來講,它具有SPI接口和與工業(yè)標準的SPI串行EEPROM器件引腳對引腳 硬件兼容的特點。 重要特征 操作電壓:2.7-3.6V 或者 3.0-3.6V 讀和寫操作 4 線串行接口結構 具有wrap-around特點的連續(xù)字節(jié)讀操作 低功耗 : 7mA(典型),待機:8uA(典型) 靈活的擦除能力 : 4KByte統(tǒng)一Sector-Erase,32Kbyte或者64Kbyte Block-Erase或者Chip- Erase能力 快速擦除時間:Sector-Erase或者Block-Erase::18ms(典型) 字節(jié)編程:14us(典型) 最大操作時鐘頻率可達50MHz 對于快速計算有自動地址累加(AAI)編程 通過WP#引腳可實現(xiàn)硬件寫保護 Device Density Voltage Clock speed (MHz) Packages
SST25VF512 512Kb(64Kx8) 2.7-3.6V 20 SOIC-8(150mil),WSON-8 SST25VF512A 512Kb(64Kx8) 2.7-3.6V 33 SOIC-8(150mil),WSON-8 SST25VF010 1Mb(128Kx8) 2.7-3.6V 20 SOIC-8(150mil),WSON-8 SST25VF010A 1Mb(128Kx8) 2.7-3.6V 33 SOIC-8(150mil),WSON-8 SST25VF020 2Mb(256Kx8) 2.7-3.6V 20 SOIC-8(150mil),WSON-8 SST25VF020A 2Mb(256Kx8) 3.0-3.6V 33 SOIC-8(150mil),WSON-8 SST25VF040 4Mb(512Kx8) 2.7-3.6V 20 SOIC-8(200mil),WSON-8 SST25VF040A 4Mb(512Kx8) 3.0-3.6V 33 SOIC-8(200mil),WSON-8 SST25VF040B 4Mb(512Kx8) 2.7-3.6V 50 SOIC-8(200mil),WSON-8 SST25VF080B 8Mb(1Mx8) 2.7-3.6V 50 SOIC-8(200mil),WSON-8 SST25VF016B 16Mb(2Mx8) 2.7-3.6V 50 SOIC-8(200mil),WSON-8 SST25VF032B 32Mb(4Mx8) 2.7-3.6V 50 SOIC-8(200mil),SOIC-16(300mil) SST25VF064C 64Mb(8Mx8) 2.7-3.6V 50 SOIC-16(300mil)
SST25VF128C 128Mb(16Mx8) 2.7-3.6V 50 SOIC-16(300mil