為什么碳化硅MOSFET會取代IGBT?

碳化硅MOSFET和IGBT都是功率器件，但它們具有不同的特性。碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通電阻、更高的耐壓和更高的結(jié)溫，因此在高頻、高壓和高功率應(yīng)用中具有優(yōu)勢。IGBT具有更高的可靠性和更高的抗短路能力，因此在一些特殊應(yīng)用中仍具有優(yōu)勢。SiC碳化硅MOSFET技術(shù)性能上的優(yōu)勢，使變換器的設(shè)計可以變得更有效率，單個逆變器的額定功率得以進一步提高，從而降低整體系統(tǒng)成本
 
光伏逆變器，電動汽車，儲能變流器，充電樁電源模塊等電力電子系統(tǒng)向更高電壓發(fā)展已經(jīng)成為行業(yè)的必然趨勢，這對半導(dǎo)體器件也提出了高耐壓要求。
相比于硅基高壓器件，碳化硅開關(guān)器件擁有更高的頻率和更小的導(dǎo)通電阻以及開關(guān)損耗，在大功率或超大功率應(yīng)用領(lǐng)域有著天然的應(yīng)用優(yōu)勢，也必將伴隨著應(yīng)用的發(fā)展向著更高的電壓等級蓄力發(fā)展。
 
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