新器件支持 5MHz 至 10GHz 的頻率范圍，集成在 2mm x 2mm 的極小封裝中，具備出色的射頻性能

加利福尼亞州圣何塞，2017 年 5 月 4 日— Integrated Device Technology, Inc. (IDT) (NASDAQ:IDTI) 于今日發(fā)布在 2mm x 2mm 緊湊封裝中實現(xiàn)高性能單刀雙擲反射式 (SPDTR) 射頻開關的新系列產(chǎn)品。F2972 和 F2976 支持的頻率范圍為 5MHz 至 10GHz，具有低插入損耗、高隔離度、低失真和高功率容量等特點，處于業(yè)界領先地位。

IDT® 器件可用于 50 或 75 ohm 的系統(tǒng)中，具有廣泛的市場和應用，其中包括 BTS 無線通信設備、DOCSIS 3.1 CATV 應用、無人機以及通用消費產(chǎn)品。

F2972 和 F2976的射頻性能和輸出引腳相似，但每個器件又具有獨特的管腳。其中F2972 在綠色環(huán)保、低功耗應用場景下提供使能/去使能管腳。F2976 有一個邏輯選擇管腳，允許用戶操作開關控制邏輯，通過單條控制線實現(xiàn)多個開關的控制，每個開關需要處于不同的狀態(tài)。

“F2972 和 F2976 擴展了 IDT 的射頻產(chǎn)品組合， 2x2mm 封裝集成反射式開關。這些器件不僅尺寸小，而且還具有超寬帶寬和高差異化的射頻性能，”IDT 射頻分部總經(jīng)理 Duncan Pilgrim 談到。”由于這些器件應用范圍廣，憑借其領先的射頻性能，我們能夠幫助客戶降低其解決方案成本。

 IDT 新射頻器件特點：

·         在2000MHz 下 提供0.36dB 的插入損耗和 42dB 的隔離度

·         高線性的特點使其應用廣泛。

o   IIP2/IIP3：120/77 dBm

o   H2/H3：-100/-120 dBc

o   CSO/CTB：>100/>100 dBc

·         (F2972) 的使能管腳有利于節(jié)省功耗

·         (F2976)提供最大控制邏輯靈活性

·         硅基半導體技術

·         3.3/5V 工作電壓范圍 和 1.8/3.3V 控制電壓范圍

支持 -40 至 105C 溫度范圍

關于 IDT

Integrated Device Technology, Inc. 開發(fā)用于優(yōu)化客戶應用的系統(tǒng)級解決方案。IDT 在射頻、高性能定時、存儲器接口、實時互連、無線電能和智能傳感器方面的市場導向型產(chǎn)品，是該公司為通信、計算、消費、汽車和工業(yè)領域開發(fā)的一系列廣泛而全面的混合信號解決方案的一部分。IDT 總部位于加利福尼亞州圣何塞，并在全世界擁有設計、生產(chǎn)、銷售設施和經(jīng)銷合作伙伴。IDT 股票在 NASDAQ Global Select Stock Market®（納斯達克全球精選市場）上市交易，其股票代碼為“IDTI”。如需了解更多關于 IDT 的信息，請訪問 www.IDT.com。請在 Facebook、LinkedIn、Twitter、YouTube 和 Google+ 中關注 IDT。