串行Flash ( 25 系列 ) 串行Flash是用串行接口進(jìn)行連續(xù)數(shù)據(jù)存取的小尺寸、低功耗的flash memory。串行 flash使用比并行flash更少的連線在一個(gè)系統(tǒng)中傳送數(shù)據(jù)。對于引腳數(shù)目少的串行flash 來講它的優(yōu)勢是減少了系統(tǒng)板的空間、功耗和成本。對于容量在512Kbit到16Mbit的25 系列串行flash來講,它具有SPI接口和與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的SPI串行EEPROM器件引腳對引腳 硬件兼容的特點(diǎn)。 重要特征 操作電壓：2.7-3.6V 或者 3.0-3.6V 讀和寫操作 4 線串行接口結(jié)構(gòu) 具有wrap-around特點(diǎn)的連續(xù)字節(jié)讀操作 低功耗 : 7mA(典型),待機(jī)：8uA(典型) 靈活的擦除能力 : 4KByte統(tǒng)一Sector-Erase,32Kbyte或者64Kbyte Block-Erase或者Chip- Erase能力 快速擦除時(shí)間：Sector-Erase或者Block-Erase:：18ms(典型) 字節(jié)編程：14us(典型) 最大操作時(shí)鐘頻率可達(dá)50MHz 對于快速計(jì)算有自動地址累加(AAI)編程 通過WP#引腳可實(shí)現(xiàn)硬件寫保護(hù) Device 　　　　Density 　　Voltage　 Clock speed (MHz) 　Packages
SST25VF512 512Kb(64Kx8) 2.7-3.6V 　　20 　　　　SOIC-8(150mil),WSON-8 SST25VF512A 512Kb(64Kx8) 2.7-3.6V 　33　 　　　 SOIC-8(150mil),WSON-8 SST25VF010 1Mb(128Kx8) 2.7-3.6V 　20 　　　　　SOIC-8(150mil),WSON-8 SST25VF010A 1Mb(128Kx8) 2.7-3.6V 　 33 　 　　　SOIC-8(150mil),WSON-8 SST25VF020 2Mb(256Kx8) 2.7-3.6V 　　 20 　　　　　SOIC-8(150mil),WSON-8 SST25VF020A 2Mb(256Kx8) 3.0-3.6V 　 33 　　　　SOIC-8(150mil),WSON-8 SST25VF040 4Mb(512Kx8) 2.7-3.6V 　　20 　　 　　　SOIC-8(200mil),WSON-8 SST25VF040A 4Mb(512Kx8) 3.0-3.6V 　　33 　　　　 SOIC-8(200mil),WSON-8 SST25VF040B 4Mb(512Kx8) 2.7-3.6V 　　 50 　　　　SOIC-8(200mil),WSON-8 SST25VF080B 8Mb(1Mx8) 2.7-3.6V 　　50 　　　　　SOIC-8(200mil),WSON-8 SST25VF016B 16Mb(2Mx8) 2.7-3.6V 　　 50 　　　　　SOIC-8(200mil),WSON-8 SST25VF032B 32Mb(4Mx8) 2.7-3.6V 　　50 　　　SOIC-8(200mil),SOIC-16(300mil) SST25VF064C 64Mb(8Mx8) 2.7-3.6V 　　50 　　　　　SOIC-16(300mil)
SST25VF128C 128Mb(16Mx8) 2.7-3.6V 　　 50 　 　　　SOIC-16(300mil